类型 | 描述 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Dual) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大 | 2.1W |
漏源电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 15A |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1400pF @ 30V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 3.6V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-SOIC |