全球领先的AI嵌入式解决方案商
0
%
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 353pF @ 15V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 6nC @ 10V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 6-WSON (2x2) |
