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Texas Instruments
品牌
卷带式 (TR)
包裝
批次
200
库存
产品规格
类型描述
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerLDFN
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大12W
漏源电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C32A
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1255pF @ 15V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs7.7nC @ 4.5V
场效应管特性Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id2.1V @ 250µA
供应商设备包8-LSON (5x6)
产品概述
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
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