类型 | 描述 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerWDFN |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss) | 30V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 4290pF @ 15V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 28nC @ 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.25V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-WSON (3.3x3.3) |