类型 | 描述 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerTDFN |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大 | 6W |
漏源电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
场效应管特性 | Logic Level Gate, 5V Drive |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-VSON (3.3x3.3) |