类型 | 描述 |
制造商 | Texas Instruments |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerVDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | P-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 104A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 6.5mOhm @ 10A, 4.5V |
功耗(最大) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.15V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-VSONP (3x3.3) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(最大) | ±12V |
漏源电压 (Vdss) | 20 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 14.1 nC @ 4.5 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 2120 pF @ 10 V |