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CSD19506KCS
CSD19506KCS

Texas Instruments
品牌
管子
包裝
批次
349
库存
产品规格
类型描述
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C100A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.3mOhm @ 100A, 10V
功耗(最大)375W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.2V @ 250µA
供应商设备包TO-220-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)80 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs156 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds12200 pF @ 40 V
产品概述
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
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