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CSD18511KCS
CSD18511KCS

Texas Instruments
品牌
管子
包裝
批次
1012
库存
产品规格
类型描述
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C194A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.6mOhm @ 100A, 10V
功耗(最大)188W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包TO-220-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs64 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5940 pF @ 20 V
产品概述
MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
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