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CSD18510Q5B
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Texas Instruments
品牌
卷带式 (TR)
包裝
批次
4722
库存
产品规格
类型描述
制造商Texas Instruments
系列NexFET™
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C300A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs0.96mOhm @ 32A, 10V
功耗(最大)156W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.3V @ 250µA
供应商设备包8-VSON-CLIP (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs153 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds11400 pF @ 20 V
产品概述
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
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