全球领先的AI嵌入式解决方案商
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-UFBGA, DSBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
| 功耗（最大） | 1.2W (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.1V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 4-DSBGA (1x1) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 漏源电压 (Vdss) | 12 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 462 pF @ 6 V |
