유형 | 설명 |
제조업체 | Texas Instruments |
시리즈 | NexFET™ |
패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
제품상태 | ACTIVE |
패키지/케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
장착 유형 | Surface Mount |
구성 | 2 N-Channel (Dual) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
전력 - 최대 | 2.1W |
드레인-소스 전압(Vdss) | 60V |
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 15A |
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 741pF @ 30V |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 10V |
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Vgs(일)(최대) @ Id | 3.6V @ 250µA |
공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |