Fuan International
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| 유형 | 설명 |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 시리즈 | NexFET™ |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 제품상태 | ACTIVE |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 - 최대 | 2.3W |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 5A |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 353pF @ 15V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WSON (2x2) |
