Fuan International
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| 유형 | 설명 |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 시리즈 | NexFET™ |
| 패키지 | 테이프 및 릴(TR) |
| 제품상태 | ACTIVE |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 유형 | P-Channel |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 500mA, 8V |
| 전력 소비(최대) | 500mW (Ta) |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 공급자 장치 패키지 | 3-PICOSTAR |
| 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(최대) | -12V |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 20 V |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 0.959 nC @ 4.5 V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 198 pF @ 10 V |
